Les puces du futur

Les puces du futur
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Elles s'apprêtent à faire un bond de géant dans leur incroyable vitesse d'exécution

BRUXELLES Térahertz. Soit 10 puissance 12 hertz. Soit plus de 1.000 milliards de 0 ou de 1 (vous vous rappelez que les puces ne connaissent que ce langage) qui passeront à chaque seconde dans les transistors des puces qui équiperont ordinateurs et autres équipements électroniques d'ici à quelques années. Un bond technologique extraordinaire, nous assure Intel, numéro un des microprocesseurs. Pour atteindre ces vitesses démentes, le fabricant de la gamme des Pentium prépare sa propre révolution technologique, basée sur de nouveaux transistors à la conception et à la composition novatrices.

`Notre objectif est de créer des puces comportant 25 fois plus de transistors qu'aujourd'hui, en offrant une vitesse 10 fois supérieure, et ce, sans augmentation de la consommation électrique´, explique Gérald Marcyk, directeur des recherches sur les composants au sein des laboratoires Intel. La compagnie US compte aussi faire naître des puces qui intégreraient un milliard de transistors, contre un petit 42 millions pour l'actuel Pentium 4 cadencé à 2 Ghz. Autant dire que les Pentium 4 qui nous paraissent si speed aujourd'hui seront bons pour la foire aux antiquaires d'ici à quelques années. Pour atteindre ces vitesses surréalistes, Intel développe donc des transistors Térahertz. Ces transistors, pour rappel, fonctionnent comme des interrupteurs qui s'ouvrent ou se ferment, laissant passer le courant électrique, ouverture et fermeture étant les piliers du langage numérique ou binaire. Les incroyables vitesses rendues possibles par cette future nouvelle génération de transistors posent cependant un problème: ` la consommation d'énergie devient incontrôlable ´, explique un chercheur Intel. Pour remédier à cela, les transistors subiront trois évolutions majeures. Sans entrer dans les détails techniques, Intel va d'abord élargir les parties permettant au courant électrique de circuler à l'intérieur de chaque transistor pour les rendre plus efficaces. Ensuite, il prévoit d'ajouter une couche d'isolant, dénommée Ultra Thin SOI, qui sera placée sous cette zone de circulation de courant afin de limiter les dissipations d'énergie. Enfin, la composition chimique des connexions entre transistors sera modifiée également pour réduire les pertes d'énergie.

Au final, le fondeur estime être en mesure de fabriquer ces transistors Terahertz d'ici à 2007. Les premières avancées de cette technologie seront présentées à l'occasion du forum International Electron Devices, qui se tiendra à Washington, du 3 au 5 décembre.

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